容量：1920GB

连续读取最大速度：≤450MB/s

连续写入最大速度：≤480MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：3200MB/s

连续写入最大速度：2700MB/s

容量：256G

连续读取最大速度：3000MB/Sec

连续写入最大速度：1000MB/Sec

容量：240G

闪存类型：3D NAND TLC

颗粒：64层3D TLC颗粒

容量：480G

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：540MB/s

容量：120G

闪存类型：TLC

主控芯片：Marvell

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：526MB/Sec

容量：250G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：2000MB/Sec

容量：500GB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：2100MB/s

容量：2TB

闪存类型：三星V-NAND TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：561MB/Sec

容量：500GB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：7300MB/s

容量：250G

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：2800MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：2100MB/s

容量：256G

连续读取最大速度：1800MB/s

连续写入最大速度：1200MB/s

容量：1TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：3300MB/s

容量：4TB

连续读取最大速度：7300MB/s

连续写入最大速度：7000MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：7400MB/s

连续写入最大速度：5500MB/s

容量：3.84TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：6900MB/s

容量：4TB

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：Phison E18