容量：1TB

闪存类型：232层3D TLC NAND闪存

主控芯片：群联E26

容量：1TB

连续读取最大速度：3400MB/Sec

连续写入最大速度：3200MB/Sec

容量：250G

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：6400MB/s

容量：4TB

闪存类型：QLC

主控芯片：Samsung MJX Controller

容量：256G

连续读取最大速度：520MB/s

连续写入最大速度：510MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：2000MB/Sec

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/Sec

容量：250G

连续读取最大速度：560MB/Sec

连续写入最大速度：500MB/Sec

容量：4TB

连续读取最大速度：7200MB/s

连续写入最大速度：6200MB/s

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：120G

闪存类型：3D NAND

主控芯片：Marvell 1120

容量：500GB

连续读取最大速度：1800MB/s（ASSSD）；2000MB/s（CDM）

连续写入最大速度：1500MB/s（ASSSD）；1600MB/s（CDM）

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：11700MB/s

容量：256G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3100MB/Sec

容量：1TB

连续读取最大速度：3200MB/s

连续写入最大速度：2500MB/s

容量：720GB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：450MB/Sec

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：500MB/Sec

容量：512G

闪存类型：TLC

主控芯片：SMI 2263XT

容量：256G

主控芯片：联芸MAP1202

连续读取最大速度：3500MB/s