容量：2TB

连续读取最大速度：7400MB/s

连续写入最大速度：6400MB/s

容量：4TB

闪存类型：三星V-NAND TLC

连续读取最大速度：7250MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：540MB/Sec

连续写入最大速度：520MB/Sec

容量：960G

闪存类型：3D NAND TLC

颗粒：64层3D TLC颗粒

容量：1TB

闪存类型：3D V-NAND TLC

连续读取最大速度：3200MB/Sec

容量：512G

闪存类型：MLC

主控芯片：三星Polaris主控

容量：960GB

连续读取最大速度：2850-3200MB/s

连续写入最大速度：1100-2900MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：5000MB/Sec

连续写入最大速度：4400MB/Sec

主控芯片：Phison E7

连续读取最大速度：3000MB/Sec

连续写入最大速度：2400MB/Sec

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：530MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7300MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7450MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7400MB/s

容量：960GB

闪存类型：三星V-NAND 3-bit MLC

主控芯片：三星Phoenix控制器

容量：2TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：12400MB/s

容量：960GB

闪存类型：TLC

主控芯片：三星Phoenix控制器