容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：14000MB/s

容量：4TB

闪存类型：三星V-NAND TLC

连续读取最大速度：7250MB/s

容量：960GB

闪存类型：TLC

主控芯片：三星MARU控制器

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：560MB/Sec

容量：1TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：3200MB/Sec

容量：4TB

闪存类型：TLC

颗粒：长江存储晶栈Xtacking 4.0 TLC颗粒

容量：4TB

闪存类型：三星V-NAND TLC

连续读取最大速度：14800MB/s

容量：4TB

闪存类型：QLC

主控芯片：Samsung MJX Controller

容量：1TB

连续读取最大速度：2800MB/Sec

连续写入最大速度：2300MB/Sec

容量：2TB

连续读取最大速度：3900MB/s

连续写入最大速度：3200MB/s

容量：8TB

连续读取最大速度：560MB/s

连续写入最大速度：530MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：560MB/Sec

容量：1TB

闪存类型：TLC

主控芯片：Marvell 88SS1074主控

容量：1TB

闪存类型：3D NAND TLC

颗粒：闪迪3D TLC

容量：4TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：12400MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：12400MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：12400MB/s

容量：4TB

连续读取最大速度：560MB/Sec

连续写入最大速度：530MB/Sec

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：2TB

闪存类型：QLC

连续读取最大速度：4950MB/s