容量：480G

闪存类型：3D NAND TLC

颗粒：3D NAND TLC

容量：480G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：3500MB/s

连续写入最大速度：2700MB/s

容量：4TB

连续读取最大速度：7200MB/s

连续写入最大速度：6200MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：1TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：3150MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7300MB/s

容量：1TB

闪存类型：三星V-NAND 3-bit MLC

主控芯片：三星Phoenix控制器

容量：2TB

连续读取最大速度：1800MB/Sec

连续写入最大速度：1800MB/Sec

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：5150MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：7000MB/s

连续写入最大速度： 5300MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7400MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：3500MB/s

连续写入最大速度：3100MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：7000MB/s

连续写入最大速度：5300MB/s

容量：1TB

闪存类型：3D NAND

连续读取最大速度：4900MB/Sec

容量：2TB

连续读取最大速度：5000MB/s

连续写入最大速度：4200MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7480MB/s

容量：4TB

主控芯片：联芸MAS0902

连续读取最大速度：550MB/s