容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：1920GB

连续读取最大速度：≤450MB/s

连续写入最大速度：≤480MB/s

容量：256G

主控芯片：联芸MAP1202

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：500MB/Sec

容量：2TB

连续读取最大速度：1800MB/Sec

连续写入最大速度：1800MB/Sec

容量：2TB

连续读取最大速度：3500MB/s

连续写入最大速度：2700MB/s

容量：480G

闪存类型：3D NAND TLC

颗粒：3D NAND TLC

容量：960GB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：5150MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3400MB/s

容量：1TB

闪存类型：三星V-NAND 3-bit MLC

主控芯片：三星Phoenix控制器

容量：2TB

闪存类型：SLC

连续读取最大速度：545MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：不超过3400MB/Sec

连续写入最大速度：不超过2900MB/Sec

容量：1TB

连续读取最大速度：3400MB/Sec

连续写入最大速度：3200MB/Sec

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：520MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7300MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：7000MB/s

连续写入最大速度：5300MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：5300MB/s

容量：960G

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：Marvel 88SS1074

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7400MB/s