容量：250G

连续读取最大速度：3000MB/s

连续写入最大速度：1300MB/s

容量：250G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/Sec

容量：250G

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：慧容Silicon Motion SM2258

容量：250G

连续读取最大速度：2100MB/s

连续写入最大速度：1150MB/s

容量：240G

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：540MB/s

容量：256G

连续读取最大速度：≤530MB/s

连续写入最大速度：≤490MB/s

容量：256G

闪存类型：3D TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：256G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：550MB/Sec

容量：240G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：520MB/s

容量：256G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：2800MB/s

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：540MB/s

容量：256G

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：HP H6028

容量：240G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：240G

闪存类型：MLC

主控芯片：Controller developed by Toshiba

容量：240G

接口类型：M.2

容量：256G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3100MB/Sec

容量：256G

颗粒：NAND Flash

连续读取最大速度：500MB/Sec

容量：250G

闪存类型：MLC

主控芯片：三星 Phoenix

容量：256G

主控芯片：SMI SM2258

接口类型：SATA 6.0 Gb/s, 并向下兼容于SATA 3.0 / 1.5Gb/s

容量：256G

闪存类型：TLC

主控芯片：Marvel 1120