容量：2TB

闪存类型：三星V-NAND 3-bit MLC

主控芯片：三星Phoenix控制器

容量：1TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：960GB

闪存类型：TLC

主控芯片：三星Phoenix控制器

容量：2TB

闪存类型：QLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：2TB

闪存类型：QLC

主控芯片：Samsung MJX Controller

容量：4TB

闪存类型：MLC

连续读取最大速度：550MB/Sec

容量：1TB

连续读取最大速度：540MB/Sec

连续写入最大速度：520MB/Sec

容量：1TB

连续读取最大速度：550MB/Sec

连续写入最大速度：520MB/Sec

容量：1.92TB

闪存类型：TLC

主控芯片：三星Phoenix控制器

容量：1TB

闪存类型：长江存储QLC原厂颗粒

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：512G

连续读取最大速度：520MB/s

连续写入最大速度：510MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：3500MB/s

连续写入最大速度：2900MB/s

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7400MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：520MB/s

连续写入最大速度：510MB/s

容量：2TB

闪存类型：长江存储QLC原厂颗粒

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：Phison E18

容量：1000GB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：2200MB/Sec

容量：120G

闪存类型：TLC

主控芯片：Phison S11