容量：2TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：12400MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7450MB/s

容量：4TB

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：Phison E18

容量：4TB

闪存类型：QLC

主控芯片：Samsung MJX Controller

容量：500G

闪存类型：3D V-NAND TLC

连续读取最大速度：3200MB/Sec

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：14100MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3230MB/Sec

容量：3.84TB

闪存类型：TLC

主控芯片：三星MARU控制器

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：14100MB/s

容量：7.68TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：6700MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：12400MB/s

容量：4TB

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：慧容Silicon Motion SM2258

容量：2TB

连续读取最大速度：7400MB/s

连续写入最大速度：6400MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：11700MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：13600MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D NAND TLC

硬盘尺寸：板卡式固态硬盘

容量：4TB

连续读取最大速度：3500MB/s

连续写入最大速度：3000MB/s

容量：1.92TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：6800MB/s

容量：3.84TB

闪存类型：TLC

主控芯片：三星MJX控制器