容量：4TB

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：Phison E18

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7500MB/s

容量：3.84TB

闪存类型：TLC

主控芯片：三星MJX控制器

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：13600MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：4TB

连续读取最大速度：3500MB/s

连续写入最大速度：3000MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：14100MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：1.92TB

闪存类型：TLC

主控芯片：三星MJX控制器

容量：3.84TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：550MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：960GB

闪存类型：TLC

主控芯片：三星MARU控制器

容量：4TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：12400MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：13600MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：6600MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：14500MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：3400MB/s

连续写入最大速度：3000MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：慧容Silicon Motion SM2258

容量：960GB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：3500MB/Sec

连续写入最大速度：2900MB/Sec